技術文章
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中車IGBT模塊：國產功率半導體核心器件深度解析 中車時代電氣自主研發的IGBT模塊實現650V-6500V全電壓覆蓋，打破國外壟斷，支撐軌道交通、新能源與電網國產化替代進程。一、核心電壓等級與選型指南電壓等級典型應用場景技術優勢750V新能源車400V平臺/OBC/充電...發布時間：2025-12-27 10:08 點擊次數：4 次
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IGBT：人形機器人動力系統的核心支柱 在人形機器人技術飛速發展的當下，動力系統的性能直接決定了機器人的運行效率、運動精度與穩定性。而絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為一種兼具MOSFET高輸入阻抗和GTR低導通壓降優勢的功率半導體器件，已然成為人形機...發布時間：2025-01-18 09:00 點擊次數：18 次
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中國中車CRRC功率半導體器件 功率半導體器件·IGBT芯片及模塊功能亮點：產品覆蓋650V-6500V全電壓等級IGBT，具有高電流密度、低開關損耗、高短路功能、低導通壓降、軟關斷特性、裕量大等特點，可滿足智能電網、軌道交通、新能源汽車、新能源發電、工...發布時間：2024-12-08 08:38 點擊次數：3 次
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英飛凌IGBT模塊命名規則 要想搭建一個優良的電力電子系統，正確的功率器件選型首當其沖。然而很多新入行的同學恐怕會對IGBT冗長的料號看不懂，但實際上功率器件的命名都是有規律可循的。幾個字母和數字，便能反映比如電壓/電流等級、拓撲、封裝等等豐富的信息...發布時間：2024-06-15 22:02 點擊次數：893 次
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英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2 英飛凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的CoolSiC?MOSFET650V和1200VGeneration2技術在確保質量和可靠性...發布時間：2024-04-09 20:40 點擊次數：702 次
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英飛凌全新4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊讓驅動器實現尺寸小型化 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出了4.5kVXHP?3IGBT模塊，旨在從根本上改變采用兩電平和三電平拓撲結構且使用2000V至3300V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸應用...發布時間：2023-12-26 20:57 點擊次數：733 次
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英飛凌推出CoolSiC產品組合，實現高效率和功率密度 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H...發布時間：2023-11-30 16:30 點擊次數：688 次
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英飛凌推出第七代分立式650V H7新品 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX：IFNNY）推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP?IGBT產品陣容。全新器件配備**的EC7共封裝二極管，先進的發射器控制設計結合...發布時間：2023-10-11 21:20 點擊次數：659 次
