本報北京電 （記者楊建光 通訊員李敏）近日，中國南車集團大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地奠基，標志著我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項目正式啟動。

        該項目設計年產(chǎn)8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只。這將使中國南車成為國內(nèi)**掌握IGBT芯片設計—芯片制造—模塊封裝—系統(tǒng)應用完整產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)，填補了國內(nèi)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的空白。

        IGBT（新型功率半導體器件——絕緣柵雙極型晶體管）是功率半導體器件第三次技術(shù)**的代表性產(chǎn)品，廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅(qū)動、智能電網(wǎng)、電力電子、新能源汽車等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，是節(jié)能技術(shù)和低碳經(jīng)濟的主要支撐，被業(yè)界譽為功率變流裝置的 “CPU”、綠色經(jīng)濟的 “核芯”，市場發(fā)展前景光明。

        目前國內(nèi)IGBT的主要供應商為外國廠商。為支持我國企業(yè)技術(shù)突圍，IGBT成為國家產(chǎn)業(yè)政策重點支持和扶持的重大科技項目。

        大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地建設項目，由中國南車株洲電力機車研究所具體實施，項目總投資14億元，占地160畝，預計2013年正式投產(chǎn)。建成后，該基地將具備年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件的能力，年產(chǎn)值超過20億元，其產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)實力均超過國內(nèi)已有水平，達到國際**水平。

來源：人民鐵道報